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如何进行超声波压电陶瓷片的位移估算
更新时间:10-11 09:55
浏览量:258

   超声波压电陶瓷片的位移估算是利用逆压电效应,即向压电陶瓷施加电压,压电陶瓷将在电场的影响下发生变形位移。


   1. 位移的粗略估计


   最大耐压下的超声波压电陶瓷片的位移通常为位移方向长度的约1‰,例如,1 mm厚的陶瓷片,最大耐压为1000 v,最大耐压为1000 v,厚度方向的最大位移约为1 μm。


   2。 超声波压电陶瓷片的位移估算;


   其中: u :外加电压[ v ],h :陶瓷高度[ m ],e :电场强度[ v / m ],d :压电系数[ m / v ],w :陶瓷宽度[ m ]。


   从以上公式可以看出,片状超声波压电陶瓷片的位移仅与材料和提供的电压有关,但是对于相同的材料,只要施加相同的电压,不同高度的陶瓷片产生的位移基本上是相同的(记住:电压不能超过可以承受的最大电压)。


   根据这个计算公式,其他形状也可以用来估计位移。


   3. 单层陶瓷在共振频率点工作时产生的振幅最大。


   当感测或发电时,估计输出电压


   当超声波压电陶瓷芯片用作传感器时,它利用其正压电效应I.e. 它通过施加外力来输出电荷而变形。


   输出电压理论估算公式:


   其中: d33 :是材料常数,f :是力,h :是高度,r :是晶片的半径。


   例如,晶片NCE41 - DISC - OD20 - TH5的材料系数为25。 5 * 1013,当施加12500 N力时,理论估算电压为5000V。

       单层陶瓷的型号选择:超声波压电陶瓷片产品通常是大规模定制的,所以我们不提供超声波压电陶瓷片组件作为标准产品。 然而,也将有一些模型库存. 建议您从库存中选择型号进行性能测试,供货时间短,成本控制简单。



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